串行SRAM
串行SRAM是一款獨立的非揮發(fā)性存儲器芯片，能夠以低成本且簡單的方式被設計者向應用中添加更多RAM,8個引腳，低功耗，高性能的串行SRAM器件的擦寫次數(shù)沒有限制且寫入時間為零，適合數(shù)據傳輸，緩存，數(shù)據記錄，互聯(lián)網，圖形緩存以及其他數(shù)據功能的應用。容量可達64 Kb至1 Mb的容量，支持SPI、SDI和SQI總線模式。

串行NVSRAM
串行NVSRAM提供了一種非易失性RAM存儲方案，非常適合需要經常向存儲器寫入數(shù)據的應用。 該器件的成本大大低于其他非易失性RAM器件，通過外部電池來備份數(shù)據。 該8引腳SPI器件支持對存儲陣列執(zhí)行無限次瞬時寫入操作，是計量、數(shù)據采集器、數(shù)據記錄器和黑盒子等應用的理想之選。 這些器件可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行NVSRAM對于經常需要向存儲器寫入數(shù)據的應用提供了一種非易失性的RAM的存儲方案，成本遠遠低于其他非易失性RAM器件，通過外部電池來備份數(shù)據，該器件還支持對存儲無限次瞬時寫入操作，可以應用于數(shù)據采集器，計量，黑盒子和數(shù)據記錄器，容量可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行SRAM為向應用添加RAM提供了一種簡單低成本的方式，這些器件采用8引腳的封裝并同時有SPI接口，可以在設計中提供更多靈活性，串行NVSRAM器件提供了低成本的非易失性SRAM或者FRAM存儲解決方案，串行NVSRAM除了有低功耗的設計還支持對存儲陣列執(zhí)行無限次瞬時寫入操作，并且斷電時可以通過外部電池自動備份存儲數(shù)據。

擴展RAM的方式
1.    使用RAM資源更大的單片機，如果是為了獲取更大的RAM資源，會增加不必要的成本，
2.    使用外部并行RAM，但是并行RAM一般封裝都比較大，至少需要16-20個I/O。占用了單片機的資源。
3.    串行SRAM現(xiàn)在支持向設計中靈活添加RAM，而不會帶來大型單片機或并行RAM的缺點，它使用簡單的4引腳SPI接口。 SDI和SQI接口可將數(shù)據速率提高4倍，這些器件還會通過這兩個接口來提升性能。



與其他存儲器技術相比的優(yōu)勢：

串行SRAM為客戶提供了成本最低的RAM擴展解決方案。 串行SRAM器件支持5V電壓，具有易于使用的SPI接口并采用小型8引腳封裝，非常適合需要額外RAM的應用或是可將數(shù)據緩沖、數(shù)據記錄、圖形、數(shù)學、音頻和視頻等重復的數(shù)據密集型功能交由片外存儲器處理的應用。 串行SRAM可提供64 Kb至1 Mb的容量。
串行NVSRAM的成本明顯低于其他任何并行、串行的NVSRAM或FRAM。 串行NVSRAM使用外部電池來實現(xiàn)非易失性存儲。 這對于計量、黑盒子和其他數(shù)據記錄等應用非常有益，這些應用需要擦寫次數(shù)沒有限制或需要瞬時寫入以及非易失性存儲。 串行NVSRAM可提供512 Kb至1 Mb的容量。
 

串行SRAM和NVSRAM在尺寸、電壓、速度、功耗和成本等方面帶來了諸多優(yōu)勢。
串行SRAM總線模式——SPI、SDI和SQI：
串行SRAM器件設計用于通過標準SPI接口以20 MHz的頻率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上，SO和SI（引腳2和引腳5）與SIO2和SIO3（引腳4和引腳7）設計用作雙向I/O引腳。
在SQI模式下，全部4個引腳（引腳2、4、5和7）均配置為可隨時高效進行讀或寫操作，確保在一個時鐘周期內通過總線傳輸4位，這實際上會獲得4倍數(shù)據速率。例如，標準SPI模式下需花費40個時鐘周期才能完成的任務現(xiàn)在可以在40/4 = 10個時鐘周期內完成。 需要快速傳輸大量數(shù)據時，該功能十分有用。
在SDI模式下，只有兩個引腳（引腳2和引腳5）配置為雙向I/O引腳，可獲得最高2倍的數(shù)據速率。 我們的標準512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用。
相同尺寸的相同器件可用于SDI和SQI。

下圖給出了在SPI、SDI和SQI模式下以20 MHz向23LC1024 1 Mb SPI SRAM寫入128 KB存儲內容所需的時間。 從中可看出，SQI比標準SPI快75%。

 

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