圖1顯示了一個(gè)典型POS終端設(shè)計(jì)的框圖，為了滿足智能POS終端的要求，存儲(chǔ)器應(yīng)提供最高的可靠性和足夠的帶寬。不僅如此，為了滿足便攜要求，存儲(chǔ)器還必須具備低功耗、小尺寸的特點(diǎn)。

 

過去，存儲(chǔ)器的發(fā)展一直試圖結(jié)合快速的存取速度、低功耗和小尺寸特性。但是，隨著Octi-SPI、HyperBus™等新一代低引腳數(shù)接口的問世，現(xiàn)在出現(xiàn)了能夠媲美甚至超過快速存取式存儲(chǔ)器的帶寬，同時(shí)匹敵低功耗存儲(chǔ)器的功耗，并使用最低數(shù)量的微控制器引腳的存儲(chǔ)器。從微控制器傳承到SRAM等存儲(chǔ)器的另一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)就是引入了深度睡眠模式。例如，賽普拉斯的PowerSnooze™ SRAM就是一種深度睡眠能效媲美Micropower SRAM的Fast SRAM。

 

 

圖1. 這是現(xiàn)代POS終端的框圖。所使用的存儲(chǔ)器包括閃存、SRAM、DRAM和SD/MMC插槽。

 

讓我們比較一下兩種常用SRAM－Fast和Micropower，以及具備深度睡眠模式的Fast SRAM的功耗和存取時(shí)間。

 

 

通過結(jié)合快速存取和深度睡眠特性，這些存儲(chǔ)器能夠媲美SRAM的速度和低功耗SRAM的能效。在SRAM在大多數(shù)時(shí)間處于待機(jī)狀態(tài)的應(yīng)用中，這種結(jié)合的優(yōu)勢更加顯著。

 

在使用SRAM記錄配置數(shù)據(jù)的一個(gè)典型POS終端中，SRAM的運(yùn)行時(shí)間只占總工作時(shí)間的20%。如果這個(gè)SRAM是工作電壓為3.3V的Fast SRAM，它工作時(shí)將消耗120瓦時(shí)（WH）的電能，待機(jī)時(shí)將消耗80 WH的電能，總能耗為200 WH。如果是一個(gè)具備深度睡眠模式的Fast SRAM，工作時(shí)仍消耗120 WH的電能，但待機(jī)時(shí)能耗降至0.06 WH，因此總能耗約為121 WH。在這個(gè)具體的例子中，深度睡眠選項(xiàng)將能耗降低了40%。

 

對(duì)于一顆240mAH的板載紐扣電池而言，一個(gè)處于待機(jī)狀態(tài)的16Mb Fast SRAM將能讓電池續(xù)航超過12小時(shí)，而一個(gè)處于待機(jī)狀態(tài)的低功耗SRAM將能讓電池續(xù)航超過3年，但后者的局限是存儲(chǔ)速度較慢。此時(shí)，一個(gè)具備深度睡眠模式的Fast SRAM與低功耗SRAM相比優(yōu)勢顯著，其帶寬是后者的4倍多（即10ns存取時(shí)間vs. 45ns存取時(shí)間），而且沒有功耗代價(jià)。盡管如此，無論是MCU或SRAM，使用深度睡眠模式時(shí)應(yīng)考慮一個(gè)因素：進(jìn)入和退出深度睡眠模式的時(shí)間。如果兩個(gè)工作周期之間的時(shí)間間隔與SRAM進(jìn)入或退出深度睡眠模式所用時(shí)間相比太短，那么這種方法將會(huì)無用。例如，對(duì)于賽普拉斯出品的具備深度睡眠模式的Fast SRAM而言，這個(gè)時(shí)間間隔是300 µs（最大）。這可能是推廣具備深度睡眠模式的Fast SRAM的最大障礙。

 

存儲(chǔ)器領(lǐng)域的另一個(gè)有趣趨勢是：隨著閃存變得越來越快，對(duì)高速緩存的需求正在發(fā)生改變。很多需要RAM的微控制器工藝現(xiàn)在可以利用XIP（Execute In Place）在閃存上實(shí)現(xiàn)。這意味著RAM越來越多被用于擴(kuò)展內(nèi)存或電池系統(tǒng)備份。與此同時(shí)，已被運(yùn)用于這兩種應(yīng)用的SRAM正在增加容量選擇。換句話說，傳統(tǒng)上首選的DRAM正變得越來越不重要，因?yàn)榫拖袢萘扛?、速度更快、功耗更低的閃存可以滿足大型存儲(chǔ)的需求那樣，容量更高、功耗更低、尺寸更小的SRAM也可以滿足小型存儲(chǔ)的需求。

本文關(guān)鍵詞：SRAM   Fast SRAM   DRAM
 
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