IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲時間相對較短的存儲器。對其控制要求相對簡單。 由一個高速、4,194,304 位的靜態(tài)RAM,可組成262,144個字(16位)。該器件由ISSI的高性能CMOS技術制造而成。將這種高可靠性的處理技術與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，就產生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件。ISSI代理英尚微電子提供完善的產品解決方案以及技術指導等一體系產品服務。
 
特性
●高速訪問時間: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
●低等待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的等待電流
●TTL兼容接口電平
●單個3.3V電源
●完全靜態(tài)操作:無需時鐘和刷新
●三態(tài)輸出.
●高低字節(jié)數據控制
●可用的工業(yè)級溫度
 

   

 
當OE為高電平(不選)時，器件處于等待模式，功耗隨著CMOS輸入電平-起降低。

芯片使能輸入CE和輸出使能輸入OE可方便實現(xiàn)存儲器的擴展。低電平有效的寫使能( WE )控制著存儲器的寫和讀操作。高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB )控制信號控制著對數據字節(jié)的訪問。

IS61LV25616AL含有以下封裝形式: JEDEC 標準44腳400-mil SOJ.44腳TSOPTypelI.44 腳LQFP和48腳MiniBGA(8mmX10mm)。
管腳配置
   
SRAM的主要特性

高速訪問時間10,12ns ;CMOS低功耗工作;低等待模式功率小于CMOS 5mA典型值的等待電流; TTL兼容接口電平;單個3.3V 電源;完全靜態(tài)操作無需時鐘和刷新;三態(tài)輸出;高低字 節(jié)數據控制;可用的工業(yè)級溫度SRAM的生產廠商很多，但是所生產的SRAM的內部結構大同小異。


本文關鍵詞：異步SRAM   IS61LV25616AL

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