用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM

 

每次使用MRAM進(jìn)行寫操作都會(huì)立即保持至少20年的非易失性。沒(méi)有數(shù)據(jù)從易失性存儲(chǔ)單元傳輸?shù)椒且资源鎯?chǔ)單元，也沒(méi)有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數(shù)據(jù)保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫訪問(wèn)時(shí)間，使Everspin MRAM成為替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇，而不會(huì)影響系統(tǒng)性能。

 

Everspin是商業(yè)上可行的MRAM技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin MRAM產(chǎn)品出現(xiàn)在數(shù)百個(gè)需要高速，可靠，非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用中。

 

Everspin MRAM解決方案提供：

•始終非易失。沒(méi)有不可靠的電容器相關(guān)備用周期

•不需要Vcap或Vbatt

•立即斷電（<1ns），無(wú)數(shù)據(jù)丟失

•沒(méi)有復(fù)雜的軟件存儲(chǔ)/調(diào)用例程

•快速啟動(dòng)時(shí)間（2ms和20ms）

•無(wú)限的讀寫周期-無(wú)磨損問(wèn)題

•20年數(shù)據(jù)保留，無(wú)循環(huán)依賴

•更少的組件意味著更小的設(shè)計(jì)尺寸和更低的BOM成本

•直接替代賽普拉斯NV-SRAM

 

Everspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存儲(chǔ)器的引腳，時(shí)序和封裝分別與CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。

 

Everspin MRAM和nvSRAM都具有標(biāo)準(zhǔn)的兼容異步SRAM時(shí)序。但是MRAM即使在斷電后無(wú)限制的時(shí)間和整個(gè)溫度循環(huán)中也可以保留數(shù)據(jù)。 MRAM具有35 ns的讀/寫周期時(shí)間，與類似的nvSRAM速度等級(jí)選項(xiàng)兼容。

 

請(qǐng)務(wù)必注意，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時(shí)間，從寫使能（和芯片使能）高到地址無(wú)效。大多數(shù)微處理器可以容納這個(gè)保持時(shí)間。


Everspin MR2A16Axxx35x系列型號(hào)表格

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000

本文關(guān)鍵詞： MRAM

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