斷電存儲是單片機(jī)系統(tǒng)中非常常見的作用。非易失性存儲器也有很多選擇，如非易失性存儲器EEPROM.FRAM.單片機(jī)內(nèi)部Flash.SPI flash.eMMC.SD卡.NAND flash等.我司英尚微電子存儲器供應(yīng)商,專業(yè)提供各類存儲器,閃存,并提供樣品及相關(guān)技術(shù)支持服務(wù).

    工程師必須根據(jù)項目的實(shí)際需要選擇存儲器，一般應(yīng)考慮以下幾個方面：

    1.容量
    容量是選擇存儲器時首先要了解的東西。一般來說，EEPROM和FRAM的容量比較?。?br />
    二是單片機(jī)內(nèi)部Flash，根據(jù)不同型號的單片機(jī)，它可以分配不同尺寸的容量，也在KB級別。一般來說，這種小  容量存儲器只適合存儲一些系統(tǒng)參數(shù)；

    然后是SPI Flash，一般容量在幾MB到幾十MB，可用于存儲參數(shù)和少量數(shù)據(jù)；
最后是SD卡.eMMC.NAND Flash等大容量存儲器，一般都在GB級別，可以存儲大量的數(shù)據(jù)。
 
    2.讀寫速度

    最先講講eMMC.SD卡.NAND flash等大容量存儲器。這種存儲器通常與文件系統(tǒng)一起使用，其讀寫速度取決于接口類型（SPI.SDIO等）.一次性寫入數(shù)據(jù)大小.存儲器本身的速度等級限制。一般來說，平均速度會達(dá)到幾百個KB~幾MB/秒。

    其次是單片機(jī)內(nèi)部Flash和SPI Flash。Flash特點(diǎn)是整個頁面(扇區(qū)域或塊)必須擦掉才能寫入，扇區(qū)域的擦拭時間一般在幾十ms。因此，F(xiàn)lash寫入速度也會受到限制。但是在獲取數(shù)據(jù)時沒有這樣的限制。

    再說一下EEPROM。IIC接口，接口速率可達(dá)4000K甚至1M。速率似乎還可以，但需要注意的是，跨頁寫作需要5ms等待。因此，一旦寫入數(shù)據(jù)必須跨頁，整體速率就會受到很大影響。

    如果需要更快的寫入速度，只能選擇FRAM，鐵電存儲器沒有頁面的概念，所以沒有等待時間，與等待時間相比，與EEPROM相比。可以大大提高寫入速度。

    3.擦寫壽命
    正常情況下，flash存儲器的擦寫頻率在1~10萬次左右，單片機(jī)內(nèi)部的flash擦寫頻率相對較小，如STM32可達(dá)1萬次，部分單片機(jī)的flash擦寫頻率只有1000次，應(yīng)用時一定要注意。

    如果需要頻繁寫入，考慮使用壽命，可能需要配合損壞平衡算法來實(shí)現(xiàn)。SD卡是內(nèi)置的損壞平衡，而其他flash或eeprom則需要自己完成損壞平衡算法，或者使用帶損壞平衡算法的文件系統(tǒng)。
 
本文關(guān)鍵詞：國產(chǎn)SRAM,SRAM,IS62WV51216

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