IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個8M容量，組織結構為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機存儲器。采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創(chuàng)新的電路設計技術，造就了這款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡單實現(xiàn)存儲器擴展。IS62WV51216EBLL-45TLI采用 JEDEC 標準44TSOP2封裝。
 
我司介紹一款可用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國產SRAM芯片，EMI偉凌創(chuàng)芯8Mbit國產低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I采用EMI先進的全CMOS工藝技術制造。位寬512K*16,電源電壓為2.7V~3.6V，支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝，以實現(xiàn)系統(tǒng)設計的用戶靈活性。該系列還支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V(Min.)，用于以低數(shù)據(jù)保留電流進行電池備份操作。采用標準44TSOP2封裝形式。代理商英尚微電子提供免費樣品測試及技術支持。
 
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品，作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。
 
本文關鍵詞：SRAM,IS62WV51216EBLL-45TLI

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