在現(xiàn)有的單片機(jī)MCU的設(shè)計(jì)上，由于片內(nèi)RAM空間不足，想要解決這個(gè)問(wèn)題要么換更大RAM的MCU，要么就外擴(kuò)PSRAM。方案選擇主要有兩個(gè)問(wèn)題需要考慮：1.PSRAM的數(shù)據(jù)位數(shù)；2.是否使用鎖存器。由于IO口資源有限，同時(shí)為保證片外PSRAM的速度。
 
由于單片機(jī)RAM內(nèi)存比較小，限制了很多單片機(jī)MCU在智能硬件上的應(yīng)用，在一般的存儲(chǔ)芯片中PSRAM是屬于偽靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)芯片，PSRAM具有SRAM一樣的簡(jiǎn)單明了的接口設(shè)置，也不需要像DRAM那樣需要刷新，卻具有DRAM單管的工藝結(jié)構(gòu)，可以在相同單位面積的die(裸片)切割更多的存儲(chǔ)芯片，價(jià)格相對(duì)比SRAM要便宜，在早期的應(yīng)用中，比較常見(jiàn)的是像智能手機(jī)，電子字典等，或者比如展訊的SC6530、銳迪科的8851、MTK的6250等都有集成Psram的嵌入。
 
外擴(kuò)PSRAM一般用做內(nèi)存使用，應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)就是映射到片外的。所以PSRAM的可靠性必須要保證，必須是零容忍。不然就會(huì)出現(xiàn)異常死機(jī)的情況。這對(duì)于產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是絕對(duì)不允許的。所以雖然硬件軟件已經(jīng)通了，但對(duì)PSRAM的壓力測(cè)試還是很有必要的。
 
我司英尚微推出的EMI產(chǎn)品EMI7064LSME正是一款串行pSRAM器件，容量64Mbit，一般來(lái)說(shuō)如果外擴(kuò)單片機(jī)MCU的RAM資源的話，需要占用單片機(jī)的大量的管腳，而EMI7064LSME這個(gè)器件只需要單片機(jī)支持SPI接口或者Quad SPI接口就可以實(shí)現(xiàn)RAM資源外擴(kuò)，非常適合于各類(lèi)智能硬件的應(yīng)用如圖像處理、數(shù)據(jù)加密、語(yǔ)音處理、流媒體應(yīng)用、數(shù)據(jù)采集、通信數(shù)據(jù)處理等。
 
國(guó)產(chǎn)pSRAM偉凌創(chuàng)芯（EMI）64Mbit Serial SRAM，支持1.8v & 3.0V 64Mbit 的SPI/QPI SRAM設(shè)備。該RAM可配置為1位輸入和輸出獨(dú)立或4位I/O公共接口。所有必要的刷新操作都由設(shè)備本身負(fù)責(zé)。EMI代理商支持提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品解決方案。
 
 
本文關(guān)鍵詞：MM32F103 靈動(dòng)微電子

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