FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持數(shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。Flash存儲器結(jié)合了ROM和RAM的長處且具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點。Flash總類可謂繁多且功能各異，而你對它了解有多少呢？本篇文章存儲芯片供應(yīng)商英尚微電子帶大家一起來看看。
 
SPI NOR FLASH
 
SPI Nor Flash，采用的是SPI 通信協(xié)議，有4線(時鐘，兩個數(shù)據(jù)線，片選線)或者3線(時鐘，兩個數(shù)據(jù)線)通信接口，由于它有兩個數(shù)據(jù)線能實現(xiàn)全雙工通信，因此比IIC通信協(xié)議的IIC EEPROM的讀寫速度上要快很多。SPI Nor Flash具有NOR技術(shù)Flash Memory的特點，即程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上，擁有獨立的數(shù)據(jù)總線和地址總線，能快速隨機讀取，允許系統(tǒng)直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行；可以單字節(jié)或單字編程，但不能單字節(jié)擦除，必須以Sector為單位或?qū)φ瑘?zhí)行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對Sector或整片進行預(yù)編程和擦除操作。
 
Nor Flash在擦寫次數(shù)上遠遠達不到IIC EEPROM，并且由于NOR技術(shù)Flash Memory的擦除和編程速度較慢，塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間會很長;但SPI Nor Flash接口簡單，使用的引腳少易于連接且操作方便，并且可以在芯片上直接運行代碼，其穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容量時具有很高的性價比，這使其很適合應(yīng)于嵌入式系統(tǒng)中作為 FLASH ROM，所以在市場的占用率非常高。
 
Parallel Nor Falsh
 
Parallel Nor Falsh,也叫做并行Nor Flash,采用的Parallel接口通信協(xié)議，擁有獨立的數(shù)據(jù)線和地址總線，它同樣繼承了NOR技術(shù)Flash Memory的所有特點;由于采用了Parallel接口。Parallel Nor Falsh相對于SPI Nor Flash,支持的容量更大，讀寫的速度更快，但是由于占用的地址線和數(shù)據(jù)線太多，在電路電子設(shè)計上會占用很多資源。Parallel Nor Falsh讀寫時序類似于SRAM，只是寫的次數(shù)較少，速度也慢，由于其讀時序類似于SRAM，讀地址也是線性結(jié)構(gòu)，所以多用于不需要經(jīng)常更改程序代碼的數(shù)據(jù)存儲。
 
Parallel Nand Flash
 
Parallel Nand Flash同樣采用了Parallel接口通信協(xié)議，Nand Flash在工藝制程方面分有三種類型：SLC、MLC、TLC。Nand Flash技術(shù)Flash Memory具有以下特點：以頁為單位進行讀和編程操作，以塊為單位進行擦除操作;具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms，而NOR技術(shù)的塊擦除時間達到幾百ms;芯片尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態(tài)存儲器;芯片包含有壞塊，其數(shù)目取決于存儲器密度。壞塊不會影響有效塊的性能，但設(shè)計者需要有一套的壞塊管理策略!
 
對比Parallel Nor Falsh，Nand Flash在擦除和讀寫方面的速度快，使用擦寫次數(shù)更多，并且它強調(diào)更高的性能和更低的成本，更小的體積，更大的容量，更長的使用壽命。這使Nand Flash很擅于存儲純資料或數(shù)據(jù)等，在嵌入式系統(tǒng)中用來支持文件系統(tǒng)。其主要用來數(shù)據(jù)存儲，大部分的U盤都是使用Nand Flash，當(dāng)前NandFlash在嵌入式產(chǎn)品中應(yīng)用仍然極為廣泛，因此壞塊管理、掉電保護等措施就需要依賴NandFlash使用廠家通軟件進行完善。
 
SPI Nand Flash
 
SPI Nand Flash，采用了SPI Nor Flash一樣的SPI的通信協(xié)議，在讀寫的速度上沒什么區(qū)別，但在存儲結(jié)構(gòu)上卻采用了與Parallel Nand Flash相同的結(jié)構(gòu)，所以SPI nand相對于SPI Nor Flash具有擦寫的次數(shù)多，擦寫速度快的優(yōu)勢，但是在使用以及使用過程中會同樣跟Parallel Nand Flash一樣會出現(xiàn)壞塊，因此也需要做特殊壞塊處理才能使用;
 
SPI Nand Flash相對比Parallel Nand Flash還有一個重要的特點，那就是芯片自己有內(nèi)部ECC糾錯模塊，用戶無需再使用ECC算法計算糾錯，用戶可以在系統(tǒng)應(yīng)用當(dāng)中可以簡化代碼簡單操作。
 
FLASH因功能不同，使用的領(lǐng)域也各異，它在電子市場上應(yīng)用極為廣泛，需求量極大，每日的需求量可達百萬的數(shù)量級，英尚微電子存儲芯片供應(yīng)商可提供樣品及技術(shù)方面支持。
 
 
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