STT-MRAM是一種顛覆性技術，可以在從消費電子和個人計算機到汽車和醫療，軍事及太空等許多領域，改變產品的性能。它還有潛力在半導體工業中創造新的領域，并使尚未設想的全新產品成為可能。STT-MRAM在關鍵的初始市場上已取代嵌入式技術（eSRAM，eFlash和DRAM），并提供65nm及更高的新功能。在汽車應用中比eFlash具有更高的速度和更低的功耗，并且比eSRAM密度更高。
 
在便攜式和手機應用中，它可以消除多芯片封裝（MCP），提供統一的內存子系統，并降低系統功耗以延長電池壽命。在個人計算機中可以代替SRAM用于高速緩存，閃存用于非易失性緩存以及PSRAM和DRAM用于高速程序執行。
 
如今STT-MRAM可以在許多嵌入式應用中替代NOR閃存和SRAM。非易失性存儲使用NOR閃存存儲代碼，并將數據傳輸到SRAM充當緩沖區或高速緩存。例如低端手機同時使用NOR和SRAM，可以很容易地用單個STT-MRAM芯片替換它們。
 
將STT-MRAM與最新的通用存儲候選進行比較，STT-MRAM的讀寫時間分別為2到20納秒（ns），而相變RAM（PRAM）的讀取時間為20到50ns，寫入的時間為30ns。此外STT-MRAM的耐久性在>1015時不受限制，而PRAM小于1012。
 
盡管這不是一項新技術，但PRAM最近受到了相當大的關注。許多領先的半導體公司都在PRAM上進行投資并開發自己的IP。盡管它是令人欽佩的技術，但與STT-MRAM相比，PRAM具有有限的耐用性和較慢的速度。
 
硫族化物材料通常為Ge2Sb2Te5，也稱為GST，用于PRAM中進行數據存儲。PRAM通過施加熱量來利用硫屬元素化物GST的結晶態和非晶態之間的可逆相變，其中結晶GST具有低電阻率，非晶GST具有高電阻率。數據“0”對應于結晶態，而數據“1”對應于非晶態。
 
狀態之間的切換時間大于20ns，這意味著PRAM無法取代SRAM，因為它的運行速度相當慢。重置位狀態所需的時間必須較長。如果不是則相變材料冷卻太快而無法達到結晶狀態。由于相的不斷變化和施加到其上的熱量，會導致材料劣化，因此耐久性有限。
 
RRAM或電阻式存儲器依賴于電場引起的電阻變化。與PRAM相比，它處于更早期的發展狀態，但是在可靠性和耐用性方面也遭受類似的問題。此外許多建議的RRAM材料中涉及的切換機制還沒有得到很好的理解。
 
FRAM或鐵電RAM使用鐵電材料存儲極化。它遭受有限的讀取耐久性和破壞性讀取過程。同樣它的耐用性約為1012個周期，雖然適用于閃存更換，但不能用作通用內存。
 
Everspin Technologies，Inc是設計制造和商業銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的翹楚，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM廣泛應用在數據中心，云存儲和能源及工業和汽車市場中。Everspin代理商英尚微電子支持提供產品應用解決方案等技術支持。  
 

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本文關鍵詞： MRAM   

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