SRAM靜態隨機存儲器芯片的讀寫周期
2020-02-03 11:32:13
一、
要保證正確地讀/寫，必須注意CPU時序與存儲器讀/寫周期的配合。一般
SRAM存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫周期的時序圖。
Intel 2114芯片的讀、寫周期時序如圖所示。
二、 讀周期
讀操作時，必須保證片選信號為低電平，讀寫信號為高電平。
tRC （讀周期時間）：指對芯片連續兩次讀操作之間的最小間隔時間。
tA (讀出時間)：從給出有效地址后，經過譯碼電路、驅動電路的延遲，到讀出所選單元內容，并經I/O電路延遲，直到數據在外部數據總線上穩定出現所需的時間。顯然，讀出時間小于讀周期時間。
tCO (片選到數據輸出穩定的時間)：數據能否送到外部數據總線上，不僅取決于地址，還取決于片選信號。因此，tCO是從有效到數據穩定出現在外部數據總線上的時間。
tCX（片選到數據輸出有效時間）：從片選有效到數據開始出現在數據總線上的間隔時間。
tOTD：片選無效后數據還需在數據總線上保持的時間。
tOHA：地址失效后，數據線上的有效數據維持時間，以保證所讀數據可靠。
三、寫周期
執行寫操作時，為低電平，讀寫信號為低電平。
tW（寫入時間）：為保證數據可靠地寫入，與同時有效的時間必須大于或等于tW。
tAW（滯后時間）：地址有效后，必須經過tAW時間，WE/信號才能有效（低），否則可能產生寫出錯。
tWR（寫恢復時間）：WE/無效后，經tWR時間后地址才能改變，否則也可能錯誤地寫入。
tDW：寫入數據必須在寫無效之前tDW時間就送到數據總線上。
tDH：WE/無效后，數據還要保持的時間。此刻地址線仍有效，tWR>tDH，以保證數據可靠寫入。
tWC（寫周期時間）：表示連續兩次寫操作之間的最小時間間隔。tWC = tAW + tW + tWR。
本文關鍵詞： SRAM
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