2012年9月份蘋果(Apple)推出的iPhone 5開始，就提出要使用有防電磁波干擾遮蔽技術(shù)的NAND Flash封裝用于iPhone手機(jī)，在技術(shù)上三星未能滿足蘋果這個(gè)要求，之后蘋果未使用三星的NAND Flash存儲(chǔ)芯片 ，也使三星在這項(xiàng)技術(shù)上開始快馬加鞭投入研發(fā)，
SK海力士(SK Hynix)正在評(píng)估噴霧式電磁波干擾(Electromagnetic Interference；EMI)遮蔽(Shielding)技術(shù)量產(chǎn)可能性，預(yù)計(jì)會(huì)接手過去委外進(jìn)行的EMI遮蔽工藝，開展研發(fā)噴霧式的EMI遮蔽技術(shù)，期望達(dá)到降低生產(chǎn)成本及提高產(chǎn)量的雙重目標(biāo)。三星電子(Samsung Electronics)也在對(duì)EMI遮蔽工藝研發(fā)也孜孜不倦的進(jìn)行中，但應(yīng)該是遇到了些問題還待解決
據(jù)報(bào)導(dǎo)，目前三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。其中，PROTEC與諾信負(fù)責(zé)研發(fā)設(shè)備;韓松化學(xué)與Ntrium負(fù)責(zé)研發(fā)液態(tài)遮蔽材料。研發(fā)完成后，三星電子就可在NAND Flash封裝覆蓋一層EMI遮蔽膜，并且對(duì)蘋果iPhone供貨。三星電子計(jì)劃在2017年達(dá)成這項(xiàng)目標(biāo)。三星跟賽普拉斯及ISSI等也有在做SRAM存儲(chǔ)芯片，不過三星SRAM存儲(chǔ)這一塊在2006年已經(jīng)授權(quán)給品牌NETSOL,由Netsol研發(fā)及生產(chǎn)，并獲得不亞于三星的市場評(píng)價(jià)。

                                                        
 
 
目前存在的問題發(fā)現(xiàn)銀與CNT仍無法均勻混和，不能做為噴霧使用，預(yù)計(jì)無法用于商業(yè)化，導(dǎo)致自主研發(fā)噴霧方式的計(jì)劃擱置
 
半導(dǎo)體芯片SRAM存儲(chǔ)等一直以屏蔽罩方式阻斷EMI，近年來隨著半導(dǎo)體芯片性能技術(shù)提高，逐漸走向個(gè)別芯片均需EMI遮蔽處理，因此可預(yù)防芯片間電磁干擾引發(fā)的異常動(dòng)作，電路板在設(shè)計(jì)上更加精密，芯片間距縮小后多出來的空間，可用于擴(kuò)充電池容量，延長待機(jī)時(shí)間，然而增加新工藝必將增加主要芯片生產(chǎn)成本。
 
所謂的濺鍍式和噴霧式到底是什么東西， LGA是指在封裝的底部有針腳的樣式，在裝配PCB線路板時(shí)，針腳與電路板的插孔緊緊貼合，所以EMI遮蔽工藝只需在上半部進(jìn)行完成。蘋果iPhone手機(jī)的NAND Flash封裝是采LGA(Land Grid Array)。而EMI遮蔽多采濺鍍(Sputtering)方式，將超薄金屬遮蔽材料覆蓋表面。濺鍍機(jī)利用物理方式將材料在目標(biāo)表面選擇性蒸鍍1層均勻薄膜，但處理速度不快，
 

                                                       

在三星電子看來，按趨勢(shì)未來NAND Flash采用BGA(Ball Grid Array)形式封裝，底部是呈現(xiàn)球體 (Ball)，若以濺鍍方式進(jìn)行EMI技術(shù)進(jìn)行遮蔽，會(huì)產(chǎn)生較多空隙不夠完整的包裹，而以噴霧式(Spray)工藝進(jìn)行EMI遮蔽，則可以將BGA的球體完全包裹。噴涂設(shè)備在價(jià)格上比濺鍍機(jī)便宜。一組濺鍍機(jī)的設(shè)備若要50億韓元(約438.20萬美元)，噴涂設(shè)備只需7~8億韓元即可購得。再加上用于噴涂的材料價(jià)格相對(duì)便宜，可節(jié)省制程費(fèi)用。在市面上由于內(nèi)存大量的供給，業(yè)界基本上考慮采用噴霧式EMI遮蔽技術(shù)。
 
目前噴霧式EMI遮蔽是臺(tái)灣日月光集團(tuán)持有的核心專利，這也是三星電子、SK海力士考慮自行研發(fā)噴霧式EMI遮蔽技術(shù)的主要原因。

 

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